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技術論壇

Flyback電源EE型與EI型磁芯在EMC方面的那點小細節

來源: 時間:2022-04-20 16:24:50 瀏覽次數:

這個問題說簡單也簡單,說不簡單它也比較考驗一個工程師的基礎扎實不扎實。這里面有些技術細節還是比較容易被忽視的。

這里我們不必牽扯到太多的磁芯材質本身及制造上的問題,關鍵看應用上的細節區別,畢竟我們是應用工程。

可能會有些網友認為只要兩者的材質,體積等參數一樣,處理功率能力一樣應該是可以互換的使用的。但是,實際上不是這樣的,兩者的機構決定了其在EMC方面的表現是不一樣的。

我們先來看一下EE型磁芯的反激變壓器結構(為節省時間,就用畫圖隨手涂鴉一下,將就著看吧):


眾所周知,Flyback拓撲變壓器是需要在中柱開氣隙的,如上圖所示。磁芯開氣隙后,顯然邊緣漏磁通會增大,假設磁通如黃色所示。搞過EMC的應該都知道漏磁通的威力,此處不必多言。

然而,EE型磁芯有天生的優勢,因為其氣隙在中柱中間,氣隙外層有厚厚的繞組屏蔽。由于繞組自身的屏蔽作用,漏磁通輻射到外部空間的可能大大降低。

下面我們看一下EI磁芯的結構:


如上圖可知,EI磁芯的氣隙要加載E片和I片的接觸位置,即氣隙位于邊緣處。這樣一來,繞組本身所起的屏蔽作用就大打折扣,甚至無能為力。

從兩張圖來看,這兩種結構在EMC方面的表現就不言而喻了吧。

因此,本人設計電源時都避免選用氣隙會開在邊緣處的磁芯型號

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